据此在优化条件下制备出高质量的ZnSe纳米线（直径可细至3.4nm）、将件解决方ZnTe纳米线（直径可细至2.6nm）和CdTe纳米线（直径可细至3.8nm），将件解决方并能精细地调控它们的线径和长度。

SnapdragonWear2100比Snapdragon400小30%，首次这很重要，如果你想要设计的是好看又舒适的手表。高通表示，为日这能让其成为头戴式设备的理想心脏。

立提力打力市新的SnapdragonWear2100会取代现有大部分AndroidWear手表采用的Snapdragon400。供软电量可以说是影响头戴式设备的重要因素之一。下一代AndroidWear手表可能会更小、案助更快，联网方式选择更多，因为高通公布旗下芯片组有重大更新。

造全它们将于今年晚些时候上市。此外还有新的LTE调制解调器和全球导航卫星系统接收器、新电低功耗WiFi和蓝牙。

这意味着使用现有智能手表同等大小电池的情况下，将件解决方新手表能有更长的运行时间。

高通还表示，首次新的芯片组更智能，配置新的超低功耗传感器组，它们比Snapdragon400的传感器更精确。显然，为日只有巧妙地耦合多种合成策略，为日在反应体系中同时实现形貌控制因素、动力学控制因素以及热力学调控因素的高度协同，才有可能获得这种极其特殊的纳米结构。

值得一提的是，立提力打力市他们还发明了一种合成金属硫族半导体超细纳米线的较普适性方法，即压力诱导配体辅助低温溶剂热合成策略。供软（b）单晶胞ZnS量子线的HAADF-STEM图(c-d)不同倾转角度下拍摄的单晶胞ZnS量子线的HRTEM图：(c)+15°和(d)-15°图3：单晶胞ZnS量子线的结构模拟和球差校正STEM表征（a）模拟的单晶胞ZnS量子线的晶胞结构模型图（b）模拟的单晶胞ZnS量子线晶胞结构模型沿方向的投影（c）模拟的单晶胞ZnS量子线晶胞结构模型沿方向的投影（d）单晶胞ZnS量子线的球差校正HAADF-STEM图图4:单晶胞ZnSe量子线的光学性质和结构表征（a）单晶胞ZnSe量子线的紫外-可见吸收光谱（b）单晶胞ZnSe量子线的HRTEM图（c）模拟的单晶胞ZnSe量子线晶胞结构模型图（d）模拟的单晶胞ZnSe量子线晶胞结构模型沿  方向的投影图5：基于单晶胞ZnS量子线的自供能日盲紫外光探测器及器件性能（a）基于单晶胞ZnS量子线的自供能光电化学型日盲紫外光探测器的结构示意图。

在光电探测器、案助纳米器件等领域显示出广泛的应用前景。更为重要的是，造全得益于极致的量子限域效应，造全ZnSSSNW的第一激子吸收峰已蓝移至273nm，其能隙显著扩宽至4.35eV，因此仅高选择性地吸收波长短于280nm的紫外光（即日盲紫外光）。